Кандидат на должность директора НЦ НВМТ РАН - ГАНИЕВ Олег Ривнерович
Главный научный сотрудник Филиала ФГБУН Института машиноведения им. А.А.Благонравова РАН «Научный центр нелинейной волновой механики и технологии РАН» (г. Москва), р.07.11.1962, доктор технических наук, заместитель директора по науке НЦ НВМТ с 01.08.2019.
Ганиев О.Р. - специалист в области механики и машиностроения, автор 120 научной работы изданных в РФ и за рубежом, из них 3 монографий и 32 авторских свидетельств и/или патентов.
Основные научные результаты Ганиева О.Р.:
- разработана модель парового взрыва, получен эффект усиления ударных волн; его анализ – основа оценки рисков (атомная энергетика и металлургия), в условиях, когда экспериментальная реализация катастрофических событий является чрезвычайно сложной и дорогостоящей;
- разработаны динамические микромодели пор и установлены условия создания направленных резонансных фильтрационных потоков в пористых средах, насыщенных жидкостью, при волновом воздействии на среду;
- разработана волноводная механика пористых сред и определены волноводные механизмы распространения волн в насыщенной пористой среде, приводящие к снижению затухания волн определенных частот;
- получены критерии очистки загрязненных пористых сред (например, для очистки призабойной зоны нефтеносного пласта) и созданы соответствующие управляемые волновые аппараты (в том числе, позволяющие повысить нефтеотдачу);
- определены механизмы образования затрудняющих добычу газа пробок ретроградного конденсата и разработаны волновые технологии их разрушения;
- разработаны технологии волнового смешения, сверхмикронизации и сверхтонкого эмульгирования и диспергирования широкого спектра многофазных смесей и соответствующие управляемые волновые аппараты, кардинально повышающие качество технологических процессов в различных отраслях промышленности;
- участвовал в разработке ряда специальных машин и аппаратов, в частности, им были созданы проточный вихревой кавитационный генератор, генератор периодических ударных волн и т.п., которые получили патентную защиту.